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Dossier
一种基于可编程封装腔体边界与物理引导深度强化学习的微波射频芯片多端口串扰自抑制装置
InventionUnknown
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6Claims · 2 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
石伟
Filing Date
Jul 20, 2026
Publication Date
Oct 16, 2026
IPC Classification
H03K 19/003 (2006.01)H03K 19/0175 (2006.01)G06N 3/092 (2023.01)H10W 90/10 (2026.01)H10W 70/60 (2026.01)
本发明公开一种基于可编程封装腔体边界与物理引导深度强化学习的微波射频芯片多端口串扰自抑制装置及方法。该装置在封装盖板、侧壁、中介层外围或芯粒间区域设置可编程边界单元,采集目标通道传输、非目标耦合及封装模态响应,构建多端口模态状态向量。物理引导深度强化学习模块依据端口隔离、目标通道保持、模态抑制及附加损耗等约束输出边界编码矩阵,驱动边界单元改变等效表面阻抗和反射相位,使非目标耦合场与主导腔体模态在受扰端口形成相消重构,同时保持目标通道性能。该方案适用于微波射频芯片、Chiplet及2.5D/3D先进封装的动态电磁调控与串扰抑制。
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