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一种精准控制嵌埋深度的内埋腔体制作方法

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§ Ⅰ

개요

발명자

陈又铭; 曾渊钿; 汪伟光

출원일

Sep 1, 2023

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

H05K 3/46 (2006.01)H05K 3/00 (2006.01)H05K 3/06 (2006.01)

本发明公开了一种精准控制嵌埋深度的内埋腔体制作方法,包括以下步骤:导通孔层;内层线路生成;介质层压合;内埋腔体制做;磁性组件置入;镭射;外层线路生成;本发明通过热压工艺将ABF介质材料贴附于上层线路和下层线路的表面,形成上ABF介质层和下ABF介质层,对上层线路和下层线路起到很好的保护作用,同时为内埋腔体的制作提供条件;本发明通过Plasma设备作用在ABF介质材料上制作出内埋腔体,可以制作出不同大小以及形状的内埋腔体,且厚度的控制比激光或机械钻孔更加精准,解决了传统的钻孔作业方式只能制作出圆形内埋腔体的问题。