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Dossier
包括沟道结构的存储器件
InventionUnknown
20Claims · 3 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
张宪龙
Filing Date
Sep 9, 2025
Publication Date
Oct 16, 2026
IPC Classification
H10B 12/00 (2023.01)
本公开涉及包括沟道结构的存储器件。存储器件可包括：沟道结构，其包括第一端和在垂直方向上与第一端相对的第二端；数据存储图案，其连接至沟道结构的第一端；位线，其接触沟道结构的第二端；键合绝缘层，其设置在位线之上；第一衬底，其设置在键合绝缘层之上，并包括面向位线的第一表面和在垂直方向上与第一表面相对的第二表面；以及第一晶体管，其设置在第一衬底的第二表面上。
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