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Dossier
半导体结构及其制备方法、存储系统
InventionUnknown
16Claims · 3 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
肖太师; 沈叮叮; 孔翠翠; 张坤; 吴林春; 韩玉辉
Filing Date
Apr 7, 2025
Publication Date
Oct 16, 2026
IPC Classification
H10B 41/27 (2023.01)H10B 41/35 (2023.01)H10B 43/27 (2023.01)H10B 43/35 (2023.01)
本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统,涉及半导体芯片技术领域,旨在解决栅极隔离结构两侧的栅叠层结构侧弯的问题。半导体结构包括栅叠层结构和栅极隔离结构。栅极隔离结构沿第一方向贯穿栅叠层结构,栅极隔离结构包括多个第一隔离结构和至少一个第二隔离结构,多个第一隔离结构沿第三方向排布,第二隔离结构位于相邻的两个第一隔离结构之间,第二隔离结构具有沿第三方向排布的第一端和第二端,还包括沿第三方向排布的第一绝缘层和第二绝缘层,第一绝缘层位于第一隔离结构和第一端之间,第二绝缘层位于第一隔离结构和第二端之间。通过上述设置,第一绝缘层和第二绝缘层能够加强对栅叠层结构的支撑,改善栅叠层结构的侧弯问题。
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