芯片及其制作方法、电子设备

本申请提供一种芯片及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，能够在提高MIM电容容值的基础上，降低工艺难度和可靠性风险芯片。该芯片中可以包括依次堆叠设置在基板上的第一MIM结构、第一介质层、第二MIM结构。第一MIM结构中和第二MIM结构中均包括依次交替设置的多层极板和多层中间介质层。第一介质层与中间介质层的厚度比大于或等于5。第一金属过孔和第二金属过孔均贯穿第一MIM结构和第二MIM结构，且第一MIM结构和，第二MIM结构中任意相邻设置的两个极板分别与第一金属过孔和第二金属过孔电连接。通过将第二MIM结构设置在厚度较大的第一介质层上，能够向第二MIM结构提供一个较为平整的基底，从而能够降低工艺难度，提高MIM电容的容值密度。