半导体晶体管器件及其制造方法

本申请涉及一种半导体晶体管器件（10），包括：碳化硅（SiC）半导体本体（20）；SiC半导体本体（20）的第一侧（20.1）上的绝缘层（30）；绝缘层（30）上的金属化（40）；其中接触孔（35）与绝缘层（30）相交，并且其中金属化（40）包括阻挡层（41）和布置在阻挡层（41）上的上部金属化层（42），阻挡层（41）填充接触孔（35）并且在接触孔（35）旁边横向覆盖绝缘层，其中阻挡层（41）的上表面（41.1）至少在区域（41.1p）中被平坦化。