具备沟槽底部保护结构的SiC沟槽MOSFET及其制造方法

本发明涉及一种简化制造工艺并提供保护结构以防止栅极氧化物下方电场集中所导致的栅极氧化物底部破坏的SiC沟槽MOSFET。更具体地，本发明涉及一种SiC沟槽MOSFET，其包括：第一导电类型的半导体层；形成于所述半导体层上表面的栅极沟槽；在所述半导体层的上表面与所述栅极沟槽间隔预定距离形成的第二导电类型的源极阱结构；形成于所述栅极沟槽与所述源极阱结构之间的所述上表面的所述第二导电类型的本体区域；形成于所述本体区域上表面的所述第一导电类型的源极区域；以及设置于所述栅极沟槽下部的沟槽底部保护结构。