Back to Search
Dossier
氧化物薄膜晶体管及其制备方法、显示装置
InventionUnknown
20Claims · 3 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
京东方科技集团股份有限公司; 华南理工大学
Inventor
袁广才; 兰林锋; 彭俊彪; 刘凤娟; 宁策; 胡合合; 卢昱行; 王飞; 许锦涛
Filing Date
Apr 7, 2025
Publication Date
Oct 16, 2026
IPC Classification
H10D 30/67 (2025.01)H10D 30/01 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)H10D 62/82 (2025.01)H10D 86/60 (2025.01)H10D 86/40 (2025.01)H10K 59/12 (2023.01)H10H 29/30 (2025.01)
本公开的实施例提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。涉及薄膜晶体管技术领域,用于提升氧化物薄膜晶体管的开态电流和稳定性。所述氧化物薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极。其中,所述有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层,所述第一有源层相较于所述第二有源层靠近所述栅极。所述第一有源层和所述第二有源层包含的金属元素相同,且均包含铟元素、锌元素、镓元素、锡元素、铝元素、钛元素、钽元素、钨元素和钼元素中的至少两种;所述第一有源层和所述第二有源层还包含氧元素,且所述第一有源层和所述第二有源层的结晶状态不同,和/或,所述第一有源层和所述第二有源层的氧空位的含量不同。
External Resources