使用Si生长衬底的E-mode GaN HEMT功率半导体外延晶圆

本发明提供一种使用Si(100)生长衬底的E‑mode GaN HEMT功率半导体外延晶圆，包括：具有Si(100)晶体结构的生长衬底；形成于所述生长衬底上的第一AlN层；形成于所述第一AlN层上且包含三维形状结构的位错湮灭层(DAL；Dislocation Annihilation Layer)；形成于所述位错湮灭层上的第二AlN层；形成于所述第二AlN层上方的GaN沟道层；形成于所述GaN沟道层上的势垒层；以及形成于所述势垒层上的p型GaN层。