一种双极互补半导体协同低噪声场效应管结构及制备方法

本申请涉及一种双极互补半导体协同低噪声场效应管结构及制备方法。该器件结构包括P型衬底、异质结双极晶体管器件和金属氧化物半导体场效应晶体管器件，异质结双极晶体管器件的集电极埋层向金属氧化物半导体场效应晶体管器件区域下方横向延伸，与深N阱和N型埋层共同构成自下而上的三层隔离结构，各层之间通过PN结形成多级噪声屏蔽，用于阻断衬底噪声耦合。本申请通过集电极埋层复用设计实现双极器件与金属氧化物半导体器件的协同降噪，系统性解决了两者之间的噪声耦合问题；三层隔离结构逐级阻断衬底噪声，隔离能力显著优于现有方案；同时与标准硅锗双极互补金属氧化物半导体工艺完全兼容。