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一种背接触电池及其制备方法和应用
발명알 수 없음
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§ Ⅰ
개요
발명자
孔德梅; 余亮亮; 乔乐; 付明全; 徐自寒
출원일
Aug 19, 2026
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
H10F 10/14 (2025.01)H10F 77/122 (2025.01)H10F 77/30 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)
本发明涉及光伏电池领域,具体而言,涉及一种背接触电池及其制备方法和应用。所述的背接触电池,由正面向背面,包括:依次层叠设置的SiNx:H减反层、富氧SiOx氧捕获层、N型单晶硅衬底和SiO隧穿层;所述SiO隧穿层上具有交替间隔设置的磷掺杂n多晶硅层和硼掺杂p多晶硅层;所述硼掺杂p多晶硅层和所述SiO隧穿层之间设置有梯度富氧SiOx隧穿叠层。所述的背接触电池,能够有效固定高氧硅片中的间隙氧原子并降低界面复合,适配低成本高氧硅片的前提下实现电池开路电压、短路电流与填充因子的全面提升。