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Dossier
一种背接触太阳能电池及其制备方法
InventionUnknown
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10Claims · 2 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
张亚; 闫用用; 兰李宁; 刘向东; 洪成浩; 蒋兆鹏; 郭心钰; 许宁波; 张萌; 周梦强; 董俊武; 方言; 章康平; 宋登元
Filing Date
Aug 4, 2026
Publication Date
Oct 16, 2026
IPC Classification
H10F 77/30 (2025.01)H10F 10/14 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)
本申请提供一种背接触太阳能电池及其制备方法。背接触太阳能电池包括:硅基底;硅基底的背面设有沿第一方向交替间隔排布的N区和P区,相邻N区和P区之间设有自隔离凹槽;N区包括第一隧穿层、第一钝化层和n型掺杂硅基氧化物层;P区包括第二隧穿层、第二钝化层和p型微晶/非晶混合相硅层;自隔离凹槽内设有绝缘氧化层;背面保护层连续覆盖于n型掺杂硅基氧化物层、p型微晶/非晶混合相硅层和绝缘氧化层的表面;第一电极和第二电极,分别设于背面保护层对应N区和P区的表面。本申请提供的背接触太阳能电池具备优异的钝化性能和载流子选择性,表现出极低的界面态密度和表面复合速率,能够显著提升电池的光电转换效率。
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