半导体装置

本发明公开一种半导体装置，其具有第一长边与相对于第一长边的第二长边。半导体装置包括半导体叠层、第一下部接触结构、第一台面接触结构与第一电极结构。半导体叠层具有下部以及连接于下部的台面部。第一下部接触结构设置于下部上。第一台面接触结构设置于台面部上，并包括：第一注入部、连接于第一注入部的第一延伸部、分离于第一延伸部的第二注入部，以及连接于第二注入部的第二延伸部。第一电极结构覆盖台面部的一部分，并电连接于第一台面接触结构。