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기록

密封环结构

발명알 수 없음
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§ Ⅰ

개요

발명자

M·D·雷维; B·J·布朗

출원일

Feb 4, 2026

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

H10W 42/00 (2026.01)H10D 30/01 (2025.01)H10D 30/47 (2025.01)

本公开涉及半导体结构,更具体地涉及密封环结构及制造方法。该结构包括:沟槽结构,其位于GaN材料堆叠中;欧姆金属,其在沟槽结构的一侧接触GaN材料堆叠的上表面;以及密封环结构,其在沟槽结构的一侧从欧姆金属竖直延伸并与欧姆金属接触。