键合结构、键合结构的制备方法及半导体器件

本申请涉及半导体器件技术领域，提供了一种键合结构、键合结构的制备方法及半导体器件，该键合结构包括衬底、阻挡层、过渡层、键合层和导电结构。其中衬底具有待键合件，阻挡层层叠设置于衬底，阻挡层远离衬底一侧的表面凹凸不平。过渡层随形层叠设置于阻挡层背离衬底的一侧，过渡层远离衬底一侧的表面凹凸不平。键合层随形层叠设置于过渡层背离衬底的一侧，键合层远离衬底一侧的表面各处齐平。导电结构贯穿设置于键合层、过渡层和阻挡层，并与待键合件电连接。该键合结构通过使阻挡层的表面凹凸不平，且过渡层和键合层依次随形层叠设置于阻挡层的一侧，以增大膜层之间的接触面积，从而增强界面结合力，防止膜层分层。