从层堆叠分离半导体晶圆的方法及制备半导体晶圆的方法

一种从层堆叠（1）分离半导体晶圆（4’）的方法，包括以下步骤：A)提供层堆叠（1），该层堆叠（1）包括籽晶衬底（2）、位于籽晶衬底（2）上的分离层（3）、及形成于分离层（3）上的半导体层（4），半导体层（4）优选通过外延生长制备于分离层（3）上；B)将半导体晶圆（4’）从层堆叠（1）分离，还包括第一步骤B1），其中在一区域内对半导体层（4）进行预损伤，以降低半导体层（4）在该区域内的断裂应力，其中步骤B1）在步骤B）之前和/或期间执行；以及第二步骤B2），其中沿分离线（11）向半导体层（4）施加来自源的热能装置，其中分离线（11）从半导体层（4）的预损伤区域起始，并且其中来自源的所述热能装置对半导体层（4）进行局部加热和/或冷却，以至少在半导体层（4）被加热和/或被冷却的区域内产生热致应力，从而引发裂纹（13），该裂纹（13）沿分离线（11）延伸的并将半导体晶圆（4’）从层堆叠（1）分离。此外，本发明涉及一种用于制备半导体晶圆（4’）的方法。