Back to Search
Dossier
用于下游残留物管理的腔室和方法
InventionUnknown
2views
20Claims · 3 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
戈造元; M·V·C·帕蒂尔; P·库马·S·M; D·巴布; 王诺; 俞凯力; 钟馨怡; B·尼拉姆拉朱; 胡良发; N·阿亚拉索马亚朱拉; S·河; P·库尔施拉希萨; A·班塞尔; D·R·B·拉杰; B·N·拉马穆尔蒂; T·麦兹; M·毛希丁; K·S·梅农; 吴立华; P·波马尼
Filing Date
Oct 29, 2024
Publication Date
Oct 16, 2026
IPC Classification
H10P 72/00 (2026.01)H01J 37/32 (2006.01)
提供半导体处理腔室及系统，以及清洁这类腔室及系统的方法。处理腔室及系统包括：腔室主体，所述腔室主体限定处理区域；内衬，所述内衬定位于腔室主体内，所述内衬限定内衬体积；面板，所述面板定位于所述内衬顶上；基板支撑件，所述基板支撑件安置于所述腔室主体内；及清洁气体源，所述清洁气体源通过清洁气体气室及一或多个入口孔与内衬体积耦接。系统及腔室包括一或多个入口孔中的至少一者安置于所述腔室主体的所述面板与底壁之间的处理区域中的情况。
External Resources