一种二维钐氧硫单晶栅介质及其制备方法

本发明涉及晶体介电材料领域，公开了一种二维钐氧硫单晶栅介质及其制备方法，包括：将钐氧氯粉末与KCl‑NaCl混合盐粉末混合制得前驱体混合物；以管式炉为反应设备，硫粉置于加热温区上游，云母衬底倾斜固定于加热温区且下端埋入前驱体混合物；升温至 780℃~850℃，硫粉升华随载气进入加热区，前驱体熔化形成液滴沿衬底铺展，与气相硫反应触发成核，晶体沿液‑固界面外延生长，保温后随炉冷却制得二维SmOS单晶薄膜。本发明解决了栅介质与二维半导体沟道界面质量差、器件电学性能低的问题，克服了层状介电材料难以兼顾宽带隙与高介电常数的难题，所得单晶薄膜层状结构质量高、表面平整度好。