套刻误差预测模型的训练方法、套刻误差预测方法及装置

本申请提供了一种套刻误差预测模型的训练方法、套刻误差预测方法及装置，涉及半导体制造技术领域。该预测方法包括：获取待光刻晶圆的形貌数据以及待光刻晶圆上的至少一个目标量测位置的坐标；基于形貌数据生成第一特征，并基于目标量测位置的坐标生成第二特征，其中，第一特征用于表征待光刻晶圆的全局形貌特征，第二特征用于表征目标量测位置的位置特征；将第一特征与第二特征进行融合，得到对应于目标量测位置的套刻误差预测值。通过这种方式，使预测过程能综合晶圆整体形貌畸变规律和空间位置特异性，从而提高了对指定目标量测位置的套刻误差预测精度。