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面向高密度SPR微阵列的并行动力学参数批量拟合方法及系统

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§ Ⅰ

개요

발명자

王倩; 刘振明; 焦宁; 豆晓东; 钟毅

출원일

Jul 6, 2026

공개일

Oct 20, 2026

IPC 분류

G16B 25/30 (2019.01)G16C 10/00 (2019.01)G06N 3/0499 (2023.01)

本发明提供面向高密度SPR微阵列的并行动力学参数批量拟合方法及系统,涉及表面等离子体共振技术领域,所述方法包括:对带权重局部动力学拟合目标函数进行迭代求解,得到各微阵列位点的初始结合速率常数与初始解离速率常数;获取各微阵列位点在高密度SPR微阵列芯片表面的物理空间坐标信息;基于物理空间坐标信息构建空间邻域正则化约束项;通过空间邻域正则化约束项对初始结合速率常数与初始解离速率常数进行空间平滑校正,得到各微阵列位点最终的目标结合速率常数与目标解离速率常数。本发明提升了高密度SPR微阵列芯片各微阵列位点结合速率常数与解离速率常数的计算精度。

§ Ⅵ

특허 도면

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