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Dossier
一种三维晶圆级封装结构及制备方法
InventionUnknown
10Claims · 2 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
李国强; 衣新燕; 黄彰
Filing Date
Sep 16, 2026
Publication Date
Oct 20, 2026
IPC Classification
H03H 9/10 (2006.01)H03H 9/46 (2006.01)H03H 3/007 (2006.01)
本申请涉及半导体封装技术领域,具体提供了一种三维晶圆级封装结构及制备方法,结构包括:第一声学滤波芯片;第二声学滤波芯片;双面盖帽基板,包括实体支撑部、实体隔离部、第一凹陷部和第二凹陷部;第一凹陷部和第二凹陷部分别设置在双面盖帽基板的第一侧和第二侧,第一声学滤波芯片与第一凹陷部围合构成第一封装保护腔,第二声学滤波芯片与第二凹陷部围合构成第二封装保护腔,第一功能敏感区在俯视方向上的投影位于第一封装保护腔在俯视方向上的投影内,第二功能敏感区在俯视方向上的投影位于第二封装保护腔在俯视方向上的投影内,实体隔离部为位于第一凹陷部与第二凹陷部之间的连续结构;结构具有结构紧凑、性能稳定且工艺兼容性好的优点。
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