半导体器件及其制造方法

本公开涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体主体、介质材料层和贯穿介质材料层的接触部，沿第一方向，半导体主体位于介质材料层的一侧；介质材料层包含掺杂元素，沿第一方向，介质材料层具有第一位置和第二位置，第一位置位于第二位置与半导体主体之间，掺杂元素在第一位置的掺杂浓小于掺杂元素在第二位置的掺杂浓度；沿第二方向，接触部远离半导体主体的一端的宽度小于接触部靠近半导体主体的一端的宽度，其中，第一方向与第二方向交叉。本公开提供的半导体器件，降低了相邻两个接触部之间漏电的风险，提高了可靠性。