半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法

本申请涉及半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：绝缘层；栅极层叠物，其位于绝缘层上方；以及半导体柱，其在层叠方向上延伸，并且包括延伸穿过第一绝缘层的第一区段和延伸穿过栅极层叠物的第二区段。半导体柱的第一区段和第二区段中的每一个包括形成第一侧壁的第一沟道部分、形成第二侧壁并与第一沟道部分间隔开的第二沟道部分，并且半导体柱的第一区段还包括在半导体柱的第一区段中联接第一沟道部分和第二沟道部分的连接部分。