嵌入式闪存器件及其制备方法

本申请提供一种嵌入式闪存器件及其制备方法，所述嵌入式闪存器件制备方法中，半导体衬底包括存储区和逻辑区，半导体衬底上形成有栅极堆叠结构和多晶硅层，栅极堆叠结构形成于存储区上，存储区与逻辑区交界处的多晶硅层具有台阶形貌，先执行第一光刻工艺形成第一掩膜层，存储区上的第一掩膜层上具有第一开口，然后执行第一刻蚀工艺刻蚀存储区的多晶硅层，再执行第二光刻工艺形成第二掩膜层，第二掩膜层填充第一开口，逻辑区上的第二掩膜层上具有第二开口，然后执行第二刻蚀工艺刻蚀逻辑区的多晶硅层，减少多晶硅层的台阶形貌对刻蚀工艺的影响，有利于提高产品良率。