一种存储装置及其制造方法

本申请提供了一种存储装置及其制造方法，所述方法包括：提供基底结构，所述基底结构包括：第一衬底以及位于所述第一衬底上的第一氧化层、第一缓冲层和叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅极牺牲层；形成依次贯穿所述叠层结构和所述第一缓冲层的孔结构；在所述孔结构内所述第一缓冲层暴露的侧面外延形成第一外延层。上述方法中，刻蚀形成孔结构之后，在孔结构内第一缓冲层暴露的侧面外延形成第一外延层，且第一外延层形成孔结构的底部，从而在无需通过刻蚀工艺控制孔结构的底部齐平的情况下，实现不同孔结构的底部基本齐平，不仅能够极大地降低刻蚀工艺的难度，还能够提高孔结构的一致性。