一种深沟槽电容结构及其制备方法

本发明提供一种深沟槽电容结构及其制备方法，制备方法包括步骤：分别制备具有深沟槽电容结构的第一中间结构与第二中间结构，第一中间结构及第二中间结构均包括衬底、深沟槽、介质层、下电极层、介电层、上电极层及接触介质层，再将第二中间结构与第一中间结构键合以得到第三中间结构，其中，第一中间结构的上电极层与第二中间结构的上电极层相互对准并相接，再于第三中间结构中形成第一导电柱、第二导电柱及第三导电柱，并于第一导电柱及第三导电柱上形成下电极，于第二导电柱上形成上电极。本发明的深沟槽电容结构可以进一步提高深沟槽电容相同平面面积下的电容量，从而满足客户对高性能、高密度电容的需求。