一种SGT器件及其制备方法

本发明提供一种SGT器件及其制备方法，属于半导体器件领域，本发明的SGT器件包括：衬底；外延层，位于衬底上，外延层包括相对设置的第一表面和第二表面；多个沟槽，位于外延层内，自第一表面向第二表面延伸至外延层内，多个栅极结构，多个栅极结构沿第一方向间隔排布；栅极结构包括分裂栅结构，分裂栅结构包括屏蔽栅和控制栅，以及间隔屏蔽栅和控制栅的极间介质层；复合绝缘层，位于屏蔽栅的侧壁与沟槽的侧壁之间，屏蔽栅的底部与沟槽的底部之间，复合绝缘层为氧化硅层与氮化硅层的叠层结构，有效提高器件的击穿电压。