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Dossier
光电二极管以及光学传感器
InventionUnknown
20Claims · 2 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
马西莫·卡塔尔多·马齐洛
Filing Date
Feb 5, 2021
Publication Date
Oct 20, 2026
IPC Classification
H10F 30/225 (2025.01)H10F 77/14 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)H10F 39/10 (2025.01)G01J 1/44 (2006.01)
本申请公开了一种光电二极管以及光学传感器及光学探测器。该光电二极管包括：p‑n结、第一电触点、雪崩区以及介电隔离沟槽，延伸到第二井形半导体层中并围绕雪崩区的外周，以防止雪崩光电二极管中的过早边缘击穿，其中，隔离沟槽沿径向布置在第一电触点和第二电触点之间，其中，隔离沟槽包括由介电材料制成的封套和由介电封套包围的金属芯；以及隔离沟槽的厚度大于或等于第二井形半导体层的厚度的9/10，隔离沟槽因此在第二井形半导体层内形成深沟槽隔离。
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