Back to Search
Dossier
隧穿钝化结构及其制备方法和TOPCon电池
InventionUnknown
10Claims · 3 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
张雅倩; 卓启东; 简磊; 周彬彬
Filing Date
Jul 8, 2026
Publication Date
Oct 20, 2026
IPC Classification
H10F 77/30 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)H10F 10/14 (2025.01)
本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种隧穿钝化结构及其制备方法和TOPCon电池。该隧穿钝化结构，包括：第一隧穿层，第一隧穿层层叠在半导体基底上；第二隧穿层，第二隧穿层层叠在第一隧穿层远离半导体基底的一侧，第二隧穿层的针孔密度大于第一隧穿层的针孔密度；掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层层叠在第二隧穿层远离第一隧穿层的一侧。本申请的隧穿钝化兼具钝化效果和隧穿性能。
Sign in to read the full text
Claim 1 is shown. Create a free account to read all 10 claims, the full description, all drawings, translations and legal status.
- All claims
- Technical field
- Background
- Summary
- Drawing descriptions
- Detailed description
External Resources