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Dossier
一种太阳能电池及其制备方法
InventionUnknown
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
张俊兵; 陈斌; 蒋秀林
Filing Date
Aug 28, 2026
Publication Date
Oct 20, 2026
IPC Classification
H10F 77/30 (2025.01)H10F 77/14 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)H10F 10/166 (2025.01)
本发明公开一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池可包括:晶硅基体,晶硅基体包括相对的第一主表面和第二主表面,晶硅基体的第一主表面包括第一中间区域和围绕第一中间区域设置的第一边缘区域;设置于第一边缘区域的第一钝化层;设置于第一钝化层上的第一掺杂多晶硅层;靠近晶硅基体的第一中间区域的一侧的第一掺杂多晶硅层的厚度小于远离晶硅基体的第一中间区域的一侧的第一掺杂多晶硅层的厚度。在第一掺杂多晶硅层覆盖面积相同的情况下,由于靠近第一中间区域一侧的厚度较小,因此使得第一主表面上的第一掺杂多晶硅层整体对光线的寄生吸收降低。
§ Ⅵ
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