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Dossier

光电探测器及其形成方法

InventionUnknown
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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

樊腾; 高颖; 李明山; 申鑫鹏; 赵至尊

Filing Date

Apr 14, 2025

Publication Date

Oct 20, 2026

IPC Classification

H10F 77/42 (2025.01)H10F 30/222 (2025.01)H10F 77/00 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)

一种光电探测器及其形成方法,结构包括:基底,基底包括第一传输区;波导叠层结构,位于第一传输区的基底顶部,波导叠层结构包括多层波导层;光吸收层,位于相邻波导叠层结构中,且光吸收层两侧的波导叠层结构的掺杂类型不同,光吸收层的侧壁与波导叠层结构相接触。在第一波导区的基底顶部形成多层波导层,使光电探测器的带宽得到增大的同时还能使光电探测器能够承受更大的入射光功率,从而提高了光电探测器的性能和可靠性。

§ Ⅵ

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