一种半导体发光元件及发光装置

本发明提供一种半导体发光元件及发光装置，该发光元件的外延结构至少包括由下至上叠置的第一半导体层结构、有源层以及第二半导体层结构，第二半导体层结构包括AlGaN材料层（0＜a＜1），其厚度与第二半导体层结构的厚度比大于或者等于60%并且小于100%；以第二半导体层结构的上表面为深度基准点，沿朝向有源层的深度方向，其中的P型掺杂物的浓度在第二半导体层结构内依次形成第一骤降区L1、缓升区L2、陡升区L3、第二骤降区L4。本申请的P型层选择AlGaN材料层，由此减少P型层的吸光现象。另外通过P型掺杂物在第二半导体层结构中的浓度控制，既能够保证第二半导体层结构中有足够的空穴供应，又能使有源层内几乎不存在Mg原子，减少对有源层的破坏，保证电子‑空穴的复合效率。