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Dossier

一种降低晶圆刻蚀后颗粒缺陷的处理方法

InventionUnknown
10Claims · 1 independent
§ Ⅰ

Dossier Overview

Applicant

晶芯半导体（黄石）有限公司

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Inventor

张小春

Filing Date

Jul 23, 2026

Publication Date

Oct 20, 2026

IPC Classification

H10P 70/00 (2026.01)H10P 95/70 (2026.01)H10P 95/00 (2026.01)C11D 1/66 (2006.01)C11D 3/37 (2006.01)C11D 7/32 (2006.01)C11D 7/26 (2006.01)

本申请提供了一种降低晶圆刻蚀后颗粒缺陷的处理方法，包括：将刻蚀后晶圆依次使用第一处理液、第二处理液和第三处理液处理，再经水漂洗和干燥；其中，第一处理液包括羟基羧酸络合剂、氨基酸型缓蚀剂和水，第二处理液包括聚羧酸聚合物、表面活性剂和水，第三处理液包括低于第二处理液浓度的聚羧酸聚合物和水。本申请通过依次削弱颗粒桥连吸附、形成颗粒水化分散状态并进行低浓度聚羧酸过渡处理，能够降低刻蚀后晶圆表面的颗粒残留和再沉积，从而降低晶圆刻蚀后的颗粒缺陷。

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