深沟槽隔离结构及其制造方法

本发明公开了一种深沟槽隔离结构，包括：半导体衬底；深沟槽，形成在半导体衬底内，深沟槽包括两个分段沟槽，分段沟槽的端部位于高压器件的高压结旁边；隔离介质层，包括形成在深沟槽的底部和侧壁的介质层以及两个分段沟槽的相邻端部之间的半导体衬底所包含的衬底材料被氧化后形成的隔离氧化物；多晶硅，填充在隔离介质层形成后的深沟槽内部。本发明形成深沟槽时高压器件的高压结旁边的衬底材料不予刻蚀，将保留的衬底材料完全氧化成隔离氧化物再填充多晶硅，这样使得高压结旁边被隔离氧化物占据，不会在DTI内部形成环形多晶硅，进而深沟槽内器件加高压时预置在N‑P结的氧化层不会产生高压感应电势，高压结的击穿电压不会受影响，保证了高压器件的BV特性不受影响。