Back to Search
Dossier
一种Sb(SeO)(HSeO)晶体形式及其制备方法和应用
InventionUnknown
10Claims · 5 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
黄玲; 陈思宇; 罗韩
Filing Date
Sep 19, 2026
Publication Date
Oct 27, 2026
IPC Classification
C30B 29/22 (2006.01)C30B 7/14 (2006.01)G02B 5/30 (2006.01)G02B 27/28 (2006.01)
本发明公开了一种Sb(SeO)(HSeO)晶体形式及其制备方法和应用，所述Sb(SeO)(HSeO)晶体为具有中心对称结构的晶体；使用Cu‑Kα辐射，所述Sb(SeO)(HSeO)晶体的PXRD图谱包括在2θ为6.06°、12.10°、25.52°、27.42°、31.92°、36.92°、43.22°、44.84°、54.32°、54.78°、56.52°和67.38°处具有特征衍射峰，其中2θ值的误差为±0.2°。本发明中的Sb(SeO)(HSeO)晶体在波长546nm处的理论计算双折射率为0.350，在实现相同相位延迟效果时，所需晶体厚度更小，便于光学器件向微型化方向发展。
Sign in to read the full text
Claim 1 is shown. Create a free account to read all 10 claims, the full description, all drawings, translations and legal status.
- All claims
- Technical field
- Background
- Summary
- Drawing descriptions
- Detailed description
External Resources