半导体器件及其制备方法

本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：在基板的上方制备保护层，保护层包括层叠设置的垫氧化层与阻挡层，垫氧化层包括待生长区域与牺牲区域；对阻挡层进行图案化处理形成具有第一窗口的图案化阻挡层，待生长区域通过第一窗口暴露，得到第一中间器件；在第一气体氛围下对第一中间器件进行热氧化处理，以使待生长区域外延生长，形成厚氧结构，得到第二中间器件，第二中间器件中厚氧结构一部分通过第一窗口露出，第一气体氛围包括氮元素与氟元素中的至少一者；去除牺牲区域以及牺牲区域上方的图案化阻挡层，露出厚氧结构及围绕厚氧结构分布的基板的暴露面；在基板的暴露面形成薄氧结构。