半导体结构及其制备方法

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，结构包括：阱区组，经由衬底的第一表面向内延伸，包括沿第一方向间隔设置，沿第二方向延伸的第一阱区，以及沿第二方向间隔设置，连接相邻第一阱区的第二阱区；其中，第一阱区、第二阱区内包括基区，以及顶面在基区顶面内的源区；掺杂区，位于第二阱区内，经由第一表面贯穿源区，并向衬底内延伸，用于形成欧姆接触；复合栅，沿朝向衬底的方向贯穿第一阱区，包括：位于相邻掺杂区之间的第一栅极，以及与相邻第一栅极相连的第二栅极；第二栅极包括覆盖第一阱区的顶面的延伸部；延伸部包括导电材料；至少能够显著加密沟道，获得更低的导通电阻。