上海光通信有限公司

本申请提供一种自动流气装置、自动流气方法及半导体设备，涉及半导体设备技术领域。本申请提供的自动流气装置包括：检测模块，用于检测半导体设备的进气管路内的气体参数；反馈模块，用于接收来自检测模块的气体参数，并在气体参数超出设定范围时发出控制信号；流气控制模块，用于根据控制信号，控制进气管路由封闭状态切换为流气状态。本申请提供的自动流气装置，可以实现自动流气控制，避免人为确认和操作带来的人力浪费和误操作。

本申请提供一种光阻余量的确定方法、确定装置及确定系统，应用于光阻喷涂设备，光阻喷涂设备具有光阻容器和缓冲容器，光阻容器分别与增压管路和缓冲容器连通，包括：在利用光阻喷涂设备在衬底表面喷涂光阻的过程中，获取光阻喷涂设备在目标时刻的光阻余量参考参数；基于光阻喷涂设备在目标时刻的光阻余量参考参数，确定缓冲容器在目标时刻的光阻余量；其中，光阻余量参考参数包括光阻容器的重力参数、增压管路的气压参数、缓冲容器的液压参数以及光阻容器与缓冲容器之间的光阻流量参数。进而，能够确保工艺不会因光阻容器更换而中断，维持工艺的稳定性与连贯性。

本申请提供一种光刻定位标记的制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括于目标层上形成掩膜层；采用第一光刻刻蚀工艺图案化掩膜层，以在掩膜层中形成第一定位标记；采用第二光刻刻蚀工艺图案化掩膜层，以在掩膜层中形成第二定位标记；第一定位标记在目标层上的正投影和第二定位标记在所述目标层上的正投影错开。本申请能够避免掩膜层被刻穿，进而防止过度刻蚀位于定位标记下方的目标层，从而避免造成目标层损伤。

本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括提供具有浅沟槽的基底；执行第一沉积工艺形成第一隔离层，第一隔离层填充浅沟槽的部分深度；执行第二沉积工艺形成第二隔离层，第二隔离层设置于第一隔离层的顶面，第二隔离层和第一隔离层构成隔离层，第二隔离层的硬度大于第一隔离层的硬度；部分隔离层的一部分，隔离层的未去除的部分用作浅沟槽隔离结构；浅沟槽隔离结构的顶面与基底的顶面平齐。本公开能够提高半导体结构的良率。

本申请提供一种半导体设备，涉及半导体技术领域。该半导体设备包括设备主体、用于排出气体的排气管路，以及至少一个抽气装置。排气管路包括位于设备主体内的第一管段，第一管段的两端沿设备主体的高度方向相对设置，第一管段的管壁上开设有至少一个第一孔洞。抽气装置设置在第一管段，并与第一孔洞连接，以将设备主体内的气体抽入第一管段中，本申请中利用第一管段可以使得设备主体内的气体流速更加均匀。

本申请提供一种基座及其安装方法、半导体设备，涉及半导体技术领域，以解决人工安装失误而影响晶圆的处理结果的问题。所述基座包括：承载件和导热构件，所述承载件具有承载台，所述导热构件环设在所述承载台的外侧；所述承载台的外周具有多个引导槽和多个第一卡接结构，所述第一卡接结构设置在对应的所述引导槽内，所述导热构件具有沿着所述导热构件的周向方向分布的多个第二卡接结构，每个所述第二卡接结构通过对应的引导槽与对应的第一卡接结构卡接。本申请提供的基座用于承载晶圆。

本申请提供了一种电阻测试单元、系统以及方法，涉及半导体技术领域。测试单元包括：叠层结构；介质层；介质层形成在叠层结构上；两个测试通孔；两个测试通孔贯穿介质层，且与叠层结构相接触，用于测试叠层结构的电阻；沿垂直于叠层结构厚度的方向，叠层结构在两个测试通孔之间的区域具有预设层数；其中，预设层数小于或等于叠层结构中膜的层数。本申请能够测量叠层结构中膜层与膜层之间的接触电阻。

本申请实施例提供一种半导体结构。该半导体结构包括：衬底，衬底上设置有第一功能区，以及环绕第一功能区的隔离区，第一功能区具有第一掺杂元素；第一金属电极，设置在第一功能区上；第二金属电极，设置在隔离区，并与第一金属电极电性连接。本申请实施例中的半导体结构可以增加肖特基二极管的反向击穿电压。

本发明提供互连结构及其形成方法，通过在相邻第一互连结构及第二互连结构之间形成有至少一个气隙，气隙贯穿第一覆盖层并向上延伸至第二介质层内，以及向下延伸至第一介质层内。在金属原子扩散路径上加上至少一个气隙，金属原子绕过气隙在第一介质层或第二介质层内扩散，起到延长金属原子扩散路径的作用，相当于增加了相邻第一互连结构及第二互连结构之间的间隔，达到提升金属间介质层经时击穿的目的。并且因为金属间介质层经时击穿有提升，意味着第一互连结构及第二互连结构的密度可以提升，进而芯片集成度可以得到提升，同时因为引入了气隙，气隙的介电常数小于第一介质层的介电常数和第二介质层的介电常数，容抗得到降低，信号延迟降低。