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一种轻量化和磁场强度温度特性可控的低场MRI磁路设计方法及其磁体系统
发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
申请人
北京大学; 合肥钢研稀土永磁材料研究院有限公司; 宁波穿山甲机电有限公司
发明人
韩景智; 沈鹏; 郭江黔; 叶勍; 方以坤; 刘崧岳; 杨金波; 杨文云
申请日
Jul 27, 2026
公开日
Oct 27, 2026
IPC 分类
H01F 7/02 (2006.01)H01F 1/053 (2006.01)
本发明属于磁共振成像技术领域,涉及一种轻量化和磁场强度温度特性可控的低场MRI磁路设计方法及其磁体系统。该方法在MRI磁路的磁极盘中设置并列排布的永磁材料和软磁材料,通过调整永磁材料和软磁材料的质量比和相应的排布方式,使软磁材料的磁导率的温度变化特性与永磁材料的剩磁温度特性实现负相关匹配,从而调控磁场强度温度特性并提高磁场的温度稳定性。该磁体系统包括上磁极盘、下磁极盘、铁轭支架和极头。本发明在充分利用永磁材料的超高磁能积实现设备轻量化的同时,利用软磁材料进行复合磁路设计以减弱永磁材料的磁场强度随温度的快速变化,并构建了对环境温度变化不敏感的轻量化低场MRI稳定磁体系统。