芯恩（青岛）集成电路有限公司

本发明提供了一种选择性外延生长预处理方法以及硅锗层形成方法，所述选择性外延生长预处理方法包括：提供一半导体衬底，且半导体衬底中形成有凹槽；在凹槽的内侧表面形成多晶硅牺牲层，多晶硅牺牲层用于吸附半导体衬底中的杂质；利用刻蚀工艺去除多晶硅牺牲层以露出凹槽表面，且露出的凹槽用于选择性外延生长硅锗层。本发明通过选择性外延生长预处理方法可以去除半导体衬底中的杂质，提升后续选择性外延生长的硅锗层的质量。

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底的表面形成有栅结构，且栅结构两侧的半导体衬底中形成有凹槽；在凹槽内形成第一籽晶层，不同晶面的第一籽晶层的生长速度不同；对第一籽晶层执行回刻蚀工艺，以减薄第一籽晶层生长较快的晶面的第一籽晶层的厚度；在执行回刻蚀工艺后的第一籽晶层的表面形成第二籽晶层；在第二籽晶层上依次形成主体层和盖帽层。本发明的制备方法可以进行籽晶层厚度均匀性调控，使得籽晶层厚度更均匀。

一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一伪栅极结构和位于第一伪栅极结构两侧衬底内的第一源漏区；在衬底上形成介质层，所述介质层暴露出所述第一伪栅极结构顶部表面；去除所述第一伪栅极结构，在所述介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出衬底表面；对所述第一开口底部的部分衬底进行离子注入，在所述第一开口底部衬底内形成掺杂区，所述掺杂区至少与第一伪栅极结构一侧的第一源漏区相邻，所述掺杂区的导电类型与所述第一源漏区的导电类型相同。所述方法形成的半导体结构能够在提升器件的饱和驱动电流（Idsat），进而提升开关速度的同时，避免静态功耗变大，进而避免关态漏电流（Ioff）变大。

本申请实施例提供一种光束重合度控制方法、装置、系统及电子设备。该方法包括：控制第一偏转镜，使探测光的光斑在样品表面进行二维扫描，并获取每个第一扫描点对应的参数组；以及控制第二偏转镜使泵浦光的光斑置于零位；基于热波信号强度最大的第一扫描点对应的控制参数，控制第一偏转镜；基于热波信号强度最大的第一扫描点对应的第一输出信号，和泵浦光所在的零位计算第一偏移量；若第一偏移量小于预设阈值，则判定探测光和泵浦光的光束重合。本申请的方案，通过采集各扫描点的位置信号与热波信号强度，可基于最大热波信号位置自动计算并判定泵浦光的偏移量，从而实现了实时监测探测光与泵浦光的空间重合度。

本发明提供一种被卡控的货批的自动整合方法及系统、可读存储介质，能够将长时间无任何动作的被卡控的货批，依据预设的自动整合条件和自动整合逻辑规则进行自动整合操作，进而腾空出相应的晶圆盒，增加线上空晶圆盒的可用资源，并最大化地提升传片后的晶圆盒中的晶圆存量，同时节省人力，减少人为参与，减少晶圆盒腾空失败情况。

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体结构，半导体结构包括基底，在基底上形成有至少一个栅极结构；形成阻挡材料层，阻挡材料层覆盖基底表面并随形覆盖栅极结构，阻挡材料层的材质包括非晶硅；对阻挡材料层进行氧化处理，以将阻挡材料层转化为阻挡层，阻挡层的材质包括氧化硅，氧化处理包括炉管热氧化、原位水蒸气生成或快速热氧化；在阻挡层上形成第一介质层，第一介质层中形成有氢杂质，阻挡层阻挡氢杂质向基底方向扩散。本申请通过在形成第一介质层之前形成阻挡层，以阻挡第一介质层中的氢原子向基底方向扩散，从而有效改善NBTI等稳定性问题。

本申请实施例提供一种反溅缺陷监测方法、控制器及反溅缺陷监测装置，通过获取表征晶圆旋转产生的飞溅液滴遮挡状态的液滴传感信号并生成各飞溅液滴对应的坐标分布图信息，结合飞溅液滴的时序图像信息解析各飞溅液滴的液滴运动方向，能够在涂覆工艺过程中识别预设限定区域内远离腔体侧壁移动的液滴并统计其数量，进而在液滴数量达到预设数量阈值时将晶圆送入检测机台确认是否存在液滴飞溅缺陷，以提高反溅缺陷监测的实时性与准确性，并提升工艺监控效率。