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本申请提供一种光刻定位标记的制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括于目标层上形成掩膜层；采用第一光刻刻蚀工艺图案化掩膜层，以在掩膜层中形成第一定位标记；采用第二光刻刻蚀工艺图案化掩膜层，以在掩膜层中形成第二定位标记；第一定位标记在目标层上的正投影和第二定位标记在所述目标层上的正投影错开。本申请能够避免掩膜层被刻穿，进而防止过度刻蚀位于定位标记下方的目标层，从而避免造成目标层损伤。

本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括提供具有浅沟槽的基底；执行第一沉积工艺形成第一隔离层，第一隔离层填充浅沟槽的部分深度；执行第二沉积工艺形成第二隔离层，第二隔离层设置于第一隔离层的顶面，第二隔离层和第一隔离层构成隔离层，第二隔离层的硬度大于第一隔离层的硬度；部分隔离层的一部分，隔离层的未去除的部分用作浅沟槽隔离结构；浅沟槽隔离结构的顶面与基底的顶面平齐。本公开能够提高半导体结构的良率。

本申请提供一种基座及其安装方法、半导体设备，涉及半导体技术领域，以解决人工安装失误而影响晶圆的处理结果的问题。所述基座包括：承载件和导热构件，所述承载件具有承载台，所述导热构件环设在所述承载台的外侧；所述承载台的外周具有多个引导槽和多个第一卡接结构，所述第一卡接结构设置在对应的所述引导槽内，所述导热构件具有沿着所述导热构件的周向方向分布的多个第二卡接结构，每个所述第二卡接结构通过对应的引导槽与对应的第一卡接结构卡接。本申请提供的基座用于承载晶圆。

本发明提供互连结构及其形成方法，通过在相邻第一互连结构及第二互连结构之间形成有至少一个气隙，气隙贯穿第一覆盖层并向上延伸至第二介质层内，以及向下延伸至第一介质层内。在金属原子扩散路径上加上至少一个气隙，金属原子绕过气隙在第一介质层或第二介质层内扩散，起到延长金属原子扩散路径的作用，相当于增加了相邻第一互连结构及第二互连结构之间的间隔，达到提升金属间介质层经时击穿的目的。并且因为金属间介质层经时击穿有提升，意味着第一互连结构及第二互连结构的密度可以提升，进而芯片集成度可以得到提升，同时因为引入了气隙，气隙的介电常数小于第一介质层的介电常数和第二介质层的介电常数，容抗得到降低，信号延迟降低。