西安工业大学

本发明涉及半导体纳米材料技术领域，具体涉及一种阻变存储器用PbS量子点的制备方法及其反应装置。本发明采用的技术方案为：称取氧化铅与油酸混合，加入十八烯，于氮气保护下以1.5℃/min升温至120℃，恒温搅拌至溶液透明，得到铅前驱体溶液，量取六甲基二硅硫烷与十八烯混合，磁力搅拌15分钟，制得热注入溶液。铅前驱体经三次真空‑Ar循环，氧残留量＜50 ppm。控温120℃±0.5℃，热注入溶液以1.0 mL/min速率注入，800 rpm搅拌反应2分钟，冰浴淬灭，反应液与丙酮:异丙醇混合离心，沉淀经正己烷清洗3次，60℃真空干燥制得PbS量子点。所制备的PbS量子点具有表面密度高、尺寸均匀、成本低廉、合成周期快等优点。

本发明涉及纳米生物材料技术领域，具体涉及一种光电忆阻器用MoS量子点的制备方法。其采用的制备方法为：采用钼源与硫脲作为反应物，采用去离子水作为溶剂，盐酸或氨水调节溶液pH，转移至高压反应釜，密封后置于烘箱进行反应，结束后充分冷却至室温，使用去离子水反复冲洗去除残留离子，利用离心机分离出MoS，真空烘干得到MoS粉末；将MoS粉末和去离子水加入离心管中进行混合，然后将离心管置于双层烧杯中，设定循环冷却水温度为18°C，将混合好的溶液进行超声破碎，得到反应液；得到的反应液再低速离心处理得到上清液即可。本发明方法制备的MoS量子点具有尺寸均匀、纯度高以及工艺可控性强的特点。

本发明公开了一种三谱段探测识别一体化光学系统，包括沿光路依次设置的前置反射系统（01）、第一光谱分光镜（02）、第二光谱分光镜（03），以及分别设置于不同光路上的可见光中继系统（04）、短波红外中继系统（05）和中波红外中继系统（06）；前置反射系统（01）包括同轴设置的主镜（011）、次镜（012）和三镜（013），用于接收并反射目标光束，主镜（011）、次镜（012）和三镜（013）的旋转对称轴重合；主镜（011）与次镜（012）沿旋转对称轴方向的间距为600.43mm，次镜（012）与三镜（013）沿旋转对称轴方向的间距为600mm；主镜（011）设有三谱段孔径光阑。

本发明公开了一种核桃破壳装置以及破壳方法，包括：机架、夹紧组件、钻孔组件、定位以及检测组件以及控制器，电动伸缩件一的伸缩端固定有驱动机一；压力传感器的检测端固定有安装座，安装座上设有连接轴；驱动机一的输出转轴和连接轴各自固定有一个夹持件；电动伸缩件二的伸缩端固定有电动伸缩件三，两个驱动机二各自与电动伸缩件三的两个伸缩端固定，驱动机二的输出转轴上固定有钻头；电动伸缩件四的伸缩端固定有电动伸缩件五，托盘与电动伸缩件五的伸缩端固定；接近传感器的检测端和测距传感器的检测端均能对准位于托盘上的核桃。该破壳装置结构简单可靠，破壳方法合理，托盘上的核桃能被可靠夹紧、钻孔以及挤压破碎，核桃仁损伤率低。

本发明涉及一种面向大型钢板高效高精度打磨的双龙门结构及打磨方法。所述结构包括平行跨设于Y轴导轨上的第一X轴桥架和第二X轴桥架，第一X轴桥架上搭载打磨机构，第二X轴桥架上搭载视觉测量装置，第一X轴桥架固定设置有悬浮式弹簧减振器、第二X轴桥架上设置有阻尼式防碰撞减振与自适应调节机构，所述第二X轴桥架上与Y轴导轨连接处设置有晶格式振动吸收模块。所述方法包括：首先建立四个坐标系，并完成双龙门手眼协同坐标系标定，然后扫描龙门与打磨龙门以异步并行方式推进。本发明使测量精度长期稳定性以及打磨效率大幅提升，打磨主轴利用率从单龙门架构的50%～55%提升至80%以上；碰撞风险全生命周期覆盖，实现了从启动时序控制、协同运动避碰、预警后恢复到真实碰撞后恢复的全生命周期管理。

本发明公开了一种AlN复合Sm/Mn共掺PSN‑PMN‑PZ‑PT压电陶瓷材料及其制备方法，属于压电陶瓷技术领域。其化学组成表达式为：0.02MnO:PbSm[(ScNb)(MgNb)ZrTi]O‑aAlN，其中，a为AlN质量百分数，0≤a≤0.30。该材料经球磨、预烧、基体粉末烧结、复合、球磨、压片、再烧结得陶瓷片，打磨光滑后涂覆银电极极化得到。经0.30%AlN复合、1160℃烧结所得样品压电常数为347，机械品质因数为3578，介质损耗为0.002，机电耦合系数为0.54。

本发明公开了融合姿态感知与扩频编码的可见光室内自适应定位方法，具体为：步骤1，以多个LED光源作为发射端，通过扩频编码辅助采集在不同空间参考点和不同位姿下的接收信号强度RSS；步骤2，根据采集的接收信号强度RSS和对应的位姿，构建多维特征指纹库；步骤3，构建SA‑BLS定位模型，采用多维特征指纹库对定位模型进行训练；步骤4，对经过训练的定位模型进行测试；步骤5，将待定位目标点处经扩频编码分离得到的RSS和PD位姿数据输入经过测试的定位模型中，计算目标位置坐标，并输出定位结果。本发明解决了现有技术中存在的多光源信号干扰严重及接收端位姿变化引发的定位精度下降的问题。

本发明公开了一种非预制破片战斗部三维动爆威力场构建方法，首先建立非预制破片战斗部精确三维模型；随后完成精细化网格划分，并完成材料本构、失效准则、接触约束和边界条件定义；然后将前处理模型导入ANSYS显式动力学环境，施加战斗部平动速度、姿态角和角速度，模拟爆轰载荷作用下冲击波传播、流固耦合、壳体破裂和自然破片形成过程；最后提取包括超压、正压冲量、应力、应变、破片质量、破片速度和破片空间坐标在内的多物理场数据，通过动静爆关联修正、坐标统一、角域统计和三维网格化重构，生成非预制破片战斗部三维动爆威力场。本发明完成了战斗部运动对破片场的修正，并且从单一结果展示转向了量化威力场评估。

本发明公开了一种用于红外光电探测器的IAI电极及其制备方法，属于量子点光电探测器技术领域。所述用于红外光电探测器的IAI电极，从下至上依次包括：底层ITO、中间Ag膜层、顶层ITO；其中：底层ITO与基底接触；顶层ITO与空气接触；底层ITO的厚度为50~70nm、中间Ag膜层的厚度为4~6nm、顶层ITO的厚度为140~160nm。本发明中通过调控IAI电极中底层ITO、中间Ag膜层、顶层ITO三者的厚度在特定的范围内，使IAI电极在红外波段具有高透过率和较低方阻，可显著提高含IAI电极的红外探测器的综合性能。