Original name record: 三菱瓦斯化学株式会社

一种香料组合物，其含有下述通式（1）所示的3‑（4‑烷基苯基）丙腈作为有效成分。含有具有花香且具有青香或果香的3‑（4‑烷基苯基）丙腈作为有效成分，具有强烈的花香。进而，为3‑（4‑烷基苯基）丙腈作为香料的应用、赋香方法、以及3‑（4‑烷基苯基）丙腈的制造方法。（式（1）中，R表示碳原子数2~4的烷基。）。

本发明的分子内具有两个以上氰氧基的氰酸酯化合物中，具有三嗪环的化合物的含量以HPLC面积百分率计为4.0面积%以下。

一种苯二甲胺的制造方法，其包括以下工序：第1氢化工序，在具有氢化能力的催化剂的存在下，向反应器中供给二氰基苯和含氢气体G1，通过该二氰基苯的氢化而得到苯二甲胺；处理工序，中断所述氢化，向所述反应器中供给包含再循环气体的含氢气体G2，使经过了所述第1氢化工序的所述催化剂与该含氢气体G2接触；以及，第2氢化工序，在经过了所述处理工序的所述催化剂的存在下，再次开始所述氢化；所述再循环气体是从经过所述接触而由所述反应器排出的排出气体中去除有机化合物的至少一部分而得到的。

本发明的氰酸酯化合物是分子内具有两个以上氰氧基的氰酸酯化合物，具有一个氨基甲酸酯基的化合物的含量以HPLC面积百分率计为0.5面积%以下。

本发明提供一种芳香族腈化合物的制造方法，该方法采用芳香族酰胺化合物，既能够缩短反应时间，又能够以高收率选择性得到芳香族腈化合物，且还能够抑制副产物的产生。上述课题是通过以下的芳香族腈化合物的制造方法解决的。即，本发明的芳香族腈化合物的制造方法包括使芳香族酰胺化合物脱水的脱水反应，该脱水反应具有使芳香族酰胺化合物和稀释剂以气相与催化剂接触的接触工序，在接触工序中，芳香族酰胺化合物和稀释剂与催化剂接触时的温度在300℃以上。

本发明涉及能够在控制蚀刻量的同时在含铜金属层的表面形成良好的蚀刻面的蚀刻液及使用其的半导体器件的制造方法。本发明的蚀刻液是用于对含铜金属层的表面实施蚀刻的蚀刻液，其特征在于，以前述蚀刻液的总量基准计，包含：超过0.1质量%且等于或小于0.5质量%的(A)过氧化氢、0.01～20质量%的(B)最小的酸解离常数pKa为2.0以上的有机酸、0.010～0.3质量%的(C)含氮杂单环式化合物、以及(D)水，所述蚀刻液中，无机酸的含量小于0.1质量%。