원래 이름 기록: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

本发明提供一种改善硅片BOW值的切割方法，属于半导体材料技术领域。包括：在多线切割过程中，根据硅棒切割的不同阶段动态控制进给速率及砂浆粘度；同时实时监测线弓状态，根据线弓状态动态调整主辊转速及砂浆喷射参数。本发明根据硅棒切割的不同阶段动态控制进给速率及砂浆粘度，能够减少残余应力的产生，进而减少BOW。同时实时监测线弓状态，及时动态调整主辊转速及砂浆喷射参数，使线弓始终处于预设定的目标范围内，进而使线弓始终处于稳定的状态，进一步减少BOW。从而能够系统性地减少切割过程中不均匀应力的产生和积累，从而有效降低BOW，且片间一致性极大提升，从而满足最先进半导体制造工艺对硅片平整度的要求。

一种单晶炉磁场强度测量装置及方法，包括上支撑盘、下支撑盘、纵向调节机构；下支撑盘的下端面具有内齿圈，下支撑盘的下端面转动安装与内齿圈相啮合的转盘，转盘的下端面偏心安装磁场强度探头，下支撑盘下端面的中心处转动安装与转盘相啮合的驱动轮，驱动轮转动时能带动转盘沿内齿圈转动、转盘自转；上支撑盘设于下支撑盘的正上方；纵向调节机构包括动力部、驱动杆；驱动杆的下端转动连接下支撑盘的上端面、上端穿过上支撑盘相接于动力部，动力部能带动下支撑盘纵向往复移动。本发明通过控制磁场强度探头逐次下降、再辅以磁场强度探头沿单晶炉炉体转动的同时再形成自转的方式来实现同一高度下测量多个点位上的磁场强度，以提高测量的准确度。

本发明提供降低大尺寸直拉单晶硅OSF的方法，涉及大尺寸直拉单晶技术领域，在拉晶过程中，通过在放肩后期降低坩埚转速及降低加热功率降低幅度，以预先形成一个设定的空位型点缺陷区域，然后在等径前期增加坩埚转速及增加加热功率降低幅度；以在放肩后期从“低埚转+空位型”向等径前期“高埚转+低功率”的动态切换，以驱动空位型点缺陷向V/I边界（即OSF环所在区域）甚至自间隙型一侧移动，以在晶体内形成无OSF核的洁净区域。

该发明提供一种单晶炉用冷却水稳压控制装置，包括稳压调节阀、控制器和流量传感器，稳压调节阀和流量传感器依次安装在连接单晶炉的进水管上，控制器分别与稳压调节阀和流量传感器电性连接，控制器接收流量传感器的信号，获取该进水管中的当前水流量值，并根据所获取的当前水流量值对应的控制稳压调节阀增加或减小其开度，控制器通过流量传感器可实时监测进水管中的水流量，并根据进水管中的水流量值，实时动态控制稳压调节阀的开度，减小进水管中的水流量波动，可实现对进入单晶炉中的冷却水实时动态稳压调节，有效降低因冷却水流量波动造成对晶体生长的不良影响，提高单晶炉运行的安全性和拉晶质量的稳定性。

一种单晶炉集控系统，包括：集控服务器，及与集控服务器通信连接的本地工控机服务器；集控服务器，包括：数据存储模块、数据获取模块及数据处理模块。一种单晶炉集控方法，包括以下步骤：S0、获取监测点当前数据；S1、将监测点当前数据与第一判断标准进行比较，若超出范围，则判定为异常；S2、当连续三次被判定为异常，对三次异常状态的初级异常类别属性进行判断，若判定为规律性异常，则继续执行步骤S3，若判定为无规律性异常，则输出相应的设备故障信息；S3、继续进行判断，获取监测点的次级异常状态类别；S4、根据次级异常状态类别，获取关联点对应数据；S5、对关联点对应数据进行判断，并根据判断结果输出相应的设备故障信息及报警信息。

本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及一种降低重掺杂单晶硅棒滑移线发生率的方法及单晶硅棒，方法包括在单晶硅棒拉制完成后，基于冷却时长内，按预定速率降低功率，逐步降低加热器功率使单晶硅棒冷却，使单晶硅棒在冷却过程中缓慢释放热应力，从而降低滑移线的发生率。本申请按照一个预设的、缓慢的“预定功率降低速率”逐步降低加热器的功率；通过控制加热器的功率衰减，间接地控制了单晶硅棒所处的热场环境。加热器减缓了单晶硅棒向周围环境散热的速度，从而使单晶硅棒能够缓慢、均匀地冷却，最大限度地减小了硅棒内部与表面、上部与下部的温差，减小单晶硅棒受到的热应力，降低滑移线的发生率，提高单晶硅棒的平均良率、质量及性能。

本发明涉及单晶硅生产技术领域，尤其涉及一种提升12寸重掺砷晶棒产量的拉晶方法，该方法使用12寸单晶炉拉制12寸重掺砷晶棒，且单晶炉内设置有32英寸的石英坩埚；该方法包括以下步骤：投料、熔化、引晶、放肩、等径及收尾；其中，在投料过程中，投入石英坩埚中的多晶硅的总重量控制在320~380kg，同时按照预定比例向坩埚中投入掺杂剂；如此，在拉制12寸重掺砷晶棒时，通过将投入石英坩埚的多晶硅总重量控制在320~380kg的范围内时，既能解决投料量过低导致的晶棒长度和重量不足，又能有效控制投料量过高可能引发的熔体流动不稳定、晶棒缺陷增多等质量风险，进而提升单次拉晶的实际产出能力，从而满足市场对高性能硅片日益增长的需求。