杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

本发明涉及一种基于界面形态实时调控的重掺锑单晶硅生长系统及其方法，所属半导体单晶硅晶棒制备技术领域，该方法包括利用红外热像仪实时采集生长界面热场图像；通过图像处理算法识别固液交界等温线并计算实时曲率半径R，定义凹向熔体时为负值；将R与基于晶体直径D设定的目标范围[‑3D，‑1.5D]进行比较；若R>‑1.5D则提高拉速和/或加热器功率，若R<‑3D则降低拉速和/或加热器功率，若在范围内则维持参数，形成闭环控制。克服了长晶过程中热场漂移导致的开环控制失效问题，通过量化曲率目标与动态双向调整，主动维持界面始终处于微凹形态，彻底消除了重掺锑单晶硅的中心杂质管道缺陷，使径向电阻率均匀性小于5%，显著提升了产品良率。

本发明涉及一种重掺磷砷衬底外延晶圆的针孔缺陷检测方法，所属半导体晶圆检测技术领域，针对现有SPX设备单一光学检测对重掺晶圆误判率高、微小针孔易漏检以及化学腐蚀破坏性检测无法量产全检的问题，对待测晶圆进行无损清洗预处理后，基于现有SPX设备平台同步开启暗场散射、相位差及偏振光学成像通道，以屏蔽高载流子背景噪声并采集多通道信号；随后通过多维度协同特征算法筛选，当缺陷区域同时满足暗场信号突变、相位差阶跃变化及偏振信号显著衰减时判定为针孔，仅单一通道异常的颗粒、划痕等伪缺陷予以剔除；最后输出二元化筛查结果。实现非破坏性量产全检，精准区分针孔与伪缺陷，大幅降低误判及漏检率，复用现有硬件成本低且不影响产线节拍。

本发明涉及一种改善八英寸硅片体铜的清洗方法，所属半导体晶圆制造技术领域，解决现有清洗方法无法有效去除硅片体铜导致少子寿命降低的问题，依次包括四个步骤：预氧化扩孔，采用臭氧和TMAH水溶液形成多孔氧化层以打开扩散通道；络合增强提取，采用含HF、HO、EDTA和甘氨酸的双络合剂混合液在超声下提取体内铜离子；深层钝化置换，采用PdCl和HF溶液置换深层残余铜原子并通过微蚀刻剥离；兆声辅助终洗，用超纯水兆声冲洗去除残留并形成钝化层。对硅片体铜实现4个数量级以上的去除率，使体铜浓度低于1×10atoms/cm³，显著提升少子寿命，有效避免Pd二次污染并保持表面完整性，适用于功率器件及先进逻辑芯片的衬底最终清洗。

本发明涉及一种基于分位数法的非正态晶圆参数SPC管控方法，所属半导体制造品质管控技术领域，包括如下操作步骤：S1：对采集数据进行正态性检验，筛选出非正态参数建立专属数据集并完成预处理；S2：对预处理数据集排序，采用经验分位数插值算法计算管控基准值与上下控制限，并根据参数风险等级差异化设置分位数阈值；S3：实时采集数据并结合SPC判异准则进行综合判定，触发异常生成分级预警；S4：按预设周期重新进行数据计算与校验，自动更新控制限实现动态优化。精准适配偏态、离散型晶圆品质参数，有效降低误报漏检率，实现管控标准统一与控制限动态迭代，提升晶圆制程稳定性与产品良率。

本发明涉及一种化学气相沉积产品固定位置缺陷簇的检测方法，所属半导体晶圆检测技术领域，该方法包括：建立特定品名的统计过程控制（SPC）控制图，并设定相应的控制限；监测Cluster缺陷数据，当数据超出控制限产生OOC（失控）告警时锁定批次；捞取OOC批次中全部硅片的SPX检测Map图；对所述Map图进行叠图处理；根据叠图结果进行人工判定，若叠图后在同一位置发现Cluster缺陷点重合，则判定为固定位置Cluster缺陷并进行返工处理。通过SPC监控预警结合人工叠图确认，能够有效识别出未超数量规格但位于固定位置的Cluster缺陷，解决了现有技术仅依靠Cluster数量卡控导致的漏检及单纯收严规格导致的良品过杀问题，在不影响良率产出效率的前提下，准确拦截不良品流出。