黑龙江汇芯半导体有限公司

本发明涉及器件老化监测技术领域，尤其涉及一种功率器件老化监测方法、装置、设备及存储介质；对预设的初始归一化导通电阻、米勒平台电压、集电极发射极饱和电压与集电极电流进行增量计算，以得到导通电阻增量；对预设的初始米勒平台电压和米勒平台电压进行增量计算，以得到平台电压增量；根据预设的加权融合模型对导通电阻增量和平台电压增量进行计算，以得到老化特征指数；根据老化特征指数生成功率器件老化监测结果；复用原有采样电路采集三类电信号，无需额外传感器，成本低；通过双特征量化两类器件老化，温度归一化消除工况干扰，动态权重融合输出综合老化特征指数，运算轻量化，可嵌入式实时监测，提升老化评估精度与设备运行安全。

本发明公开了一种引线框架、封装结构及功率模块，框架本体沿其长度方向自右往左划分为第一布局区、第二布局区、第三布局区和第四布局区，第一布局区内设置有第四基岛单元，第四基岛单元的下方设置有相互连接的第五引脚单元，第二布局区内设置有第一基岛单元，第一基岛单元的下方设置有相互连接的第一引脚单元，第三布局区内设置有第二基岛单元和第三基岛单元，第二基岛单元位于第一基岛单元和第三基岛单元之间，第二基岛单元的下方设置有相互连接的第二引脚单元，第三基岛单元的下方设置有相互连接的第三引脚单元，框架本体位于第四布局区的下方设置有第四引脚单元；利用分区布局减少各电流环路和三相输出线路间的交叉布线情况。

本发明公开了一种带间隙基准电路、PCB板及控制器，偏置电流镜单元为整个电路提供稳定的工作电流；第二运算放大器OP2借助钳位效应，使同相输入端与反相输入端的电位保持相等，进而在第一电阻R1上产生具备正温度系数的压降；第一运算放大器OP1协同第二电阻R2和第四三极管Q4对电路的电流分配进行调节；在低温或高温环境中，温度补偿控制单元对片上温度进行实时监测，当温度达到预设阈值时，控制单元向开关电阻阵列单元输出信号；开关电阻阵列单元依据接收到的信号，改变接入第一二极管D1支路的等效电阻值；由于该电阻具有特定的温度特性，其阻值的改变会对基准电压的温度曲线进行微调，从而在不同温度区间内实现差异化的补偿效果。

本申请属于半导体技术领域，公开了一种GaN肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：在衬底布置面上依次外延成型AlN成核层、GaN缓冲层、重掺杂GaN传输层、AlGaN插入层与轻掺杂GaN漂移层；对轻掺杂GaN漂移层选择性刻蚀以形成纳米柱结构，在纳米柱以及轻掺杂GaN漂移层依次沉积AlN层和GaO层以构成复合介质层；刻蚀形成阴极沟槽；刻蚀裸露出纳米柱的顶端，于沟槽底部和纳米柱顶部分别沉积欧姆接触金属层，最后在纳米柱侧壁的复合介质层表面沉积肖特基接触金属层，得到GaN肖特基二极管。本申请有效平衡GaN肖特基二极管正向导通与反向阻断两类关键指标，既降低导通损耗，又显著抑制反向漏电、提升击穿耐压。