원래 이름 기록: 上海新昇半导体科技有限公司

本发明提供一种增强石英销倒影分辨率的方法、石英销以及直拉法单晶生长系统，使用紫外激光器对石英销的目标区域进行表面粗糙化处理，以增加所述目标区域在高温环境下的辐射亮度，从而当直拉法单晶生长系统采用该石英销进行液距测量，该石英销在硅熔液中的倒影分辨率得以增强，从而可以降低相机捕捉石英销倒影的难度，使得对于液距控制的精确性得以提高。另外，相较于其它粗糙化处理方法，利用紫外激光的高光子能量可以直接打开石英材料的化学键，同时通过控制工艺参数，使得在脆性石英玻璃表面实现可控的、无损伤的粗糙化。

本发明涉及半导体技术领域，提供了一种晶片脱胶装置、晶片剥离设备及晶片剥离方法。晶片脱胶装置包括脱胶本体；所述脱胶本体上设置有高压进气口、冷媒进口、混合腔以及出口；所述高压进气口用于通入高压气体；所述冷媒进口用于通入冷媒；所述高压进气口和所述冷媒进口与所述混合腔连通用于供所述高压气体与所述冷媒混合形成混合体；所述出口用于供所述混合体喷出以冷却晶片的粘接位置。上述晶片脱胶装置一方面保证脱胶过程中晶片的稳定性，另一方面可改善晶片表面污垢残留难以去除的现象。