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Dossier

一种低临界频率高双折射率的双频液晶材料及其制备方法和应用

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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

穆全全; 刘永刚; 彭增辉; 王启东

IPC Classification

C09K 19/20 (2006.01)G02F 1/1333 (2006.01)G02F 1/137 (2006.01)C09K 19/30 (2006.01)C09K 19/18 (2006.01)

本发明涉及一种低临界频率高双折射率的双频液晶材料及其制备方法和应用,属于液晶材料制备技术领域。本发明的低临界频率高双折射率的双频液晶材料,将含有CFO基的正性液晶化合物与其它特定负性液晶化合物按照一定的重量百分比进行混配,形成具有双频驱动特性低临界频率的双频液晶材料。本发明的双频液晶材料具有低临界频率、Δn大、介电各向异性常数大、温度范围宽等优点。本发明的双频液晶材料在液晶调制器件中有很好的应用前景。

§ Ⅵ

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