快恢复二极管及其制造方法

本发明提供了一种快恢复二极管及其制造方法，通过N型接触结构和沟槽栅结构能够调控P型发射极的空穴注入效率，使N型漂移层的载流子分布得到优化，从而在不需要额外的少数载流子寿命控制的情况下，便能够使器件的反向恢复时间、峰值电流和损耗得到改善，还能抑制电流电压异常振荡，同时器件的漏电流也得到降低，保证器件获得更高的可靠性与鲁棒性。