一种半导体结构及其制备方法

本发明提供一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括步骤：提供一硅衬底，硅衬底上形成有间隔设置的栅极结构，刻蚀硅衬底，以在相邻两个栅极结构之间形成凹槽，通过预处理气体对凹槽的内壁进行预处理，以清洁凹槽的内壁并在凹槽的内壁上形成过渡层，预处理气体包括HCl气体和GeH气体，且所述HCl气体的含量大于所述GeH气体的含量，于凹槽中形成外延层。本发明的半导体结构的制备方法通过在预处理气体中混入的微量GeH气体与悬挂键反应，能够消除清洁过程中产生的悬挂键，进而减少界面缺陷与外延层的位错，从而提高外延层的质量和器件的性能。